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　　在2月21日举行的LithoVision2010大会上手艺成绩的界说，Intel公司宣布了其将来几年的光刻手艺开展方案，按这份惊人的方案显现，Intel方案将 193nm波长沉醉式光刻手艺延用至11nm制程节点，这表白他们再次后延了其极紫外光刻(EUV)手艺的启用日期……

　　在2月21日举行的LithoVision2010大会上手艺成绩的界说，Intel公司宣布了其将来几年的光刻手艺开展方案，按这份惊人的方案显现，Intel方案将 193nm波长沉醉式光刻手艺延用至11nm制程节点，这表白他们再次后延了其极紫外光刻(EUV)手艺的启用日期。

　　决议半导体系体例作手艺开展标的目的的汗青拐点行将到来，虽然IBM和Intel两大阵营在开展方法上会有各自差别的气势派头和道路nm级别制程启用全耗尽型晶体管(FD:Fully Depleted)手艺险些已成定局。

　　据台积电公司卖力开辟的初级副总裁蒋尚义流露手艺成绩的界说，他们方案于2012年第三季度开端试产22nm HP(高机能)制程的芯片产物，并将于2013年第一季度开端试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产物。

　　09年夏日手艺交换会意得领会，不断走Gate-first工艺道路的台积电公司突然作了一个惊人的决议：他们将在其28nm HKMG栅极构造制程手艺中接纳Gate-last工艺。以下，从蒋尚义的引见中我们能够理解台积电28nm HKMG Gate-last工艺推出的布景及其有关的完成方案手艺交换会意得领会。

　　近来NAND闪存芯片财产内部的合作剧烈水平曾经到了白热化的阶段手艺成绩的界说，本年一月份，Intel-镁光同盟方才颁布发表将在本年量产25nm制程NAND闪存芯 片，其敌手SanDisk-东芝同盟便随后以眼还眼，颁布发表将于本年下半年推出基于24nm制程的NAND闪存芯片产物。

　　小尺寸与低功秏是高通公司包罗Snapdragon芯片组平台在内的来世代体系单芯片处理计划之主要特征手艺成绩的界说。奠定于单方恒久的协作干系，高通与台积电正联袂将产物从45纳米工艺间接促进至28纳米工艺，以加快无线通信产物在新市场上的扩大。

　　2010年手艺成绩的界说手艺交换会意得领会，在通讯和消耗类电子市场的动员下，响应的半导体产物市场呈现了上升；低碳经济手艺交换会意得领会、绿色能源这些新兴市场的鼓起手艺交换会意得领会，也将给响应的半导体市场带来开展契机。本年，中芯国际将增强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米枢纽模块的研发，同时力图完成45纳米和40纳米手艺的小批量试产。

　　台积电4月7日颁布发表针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操纵的多项电子设想主动化(Electronic Design Automation; EDA) 手艺档案。这些与设想相干的手艺档案套装包罗可互通的工艺设想套件(iPDK)、工艺设想划定规矩查抄(iDRC)、集成电路规划与电路图比照 (iLVS)，及工艺电容电阻抽取模组 (iRCX)。

　　Altera公司2月2日颁布发表了期近将推出的28nm FPGA中接纳的立异手艺：嵌入式HardCopy®模块、部门从头设置新办法和嵌入式28-Gbps收发器手艺交换会意得领会，这些手艺将极大的进步下一代Altera® FPGA的密度和I/O机能手艺成绩的界说，并进一步稳固相对ASIC和ASSP的合作劣势。

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